講演情報
[24a-12F-2]CZ-Ga2O3単結晶成長時における結晶ねじれの要因解析
〇柿本 浩一1、富田 健稔2、Vladimir Kochurikhin2、鎌田 圭4、中野 智3、吉川 彰4 (1.東北大 NICHe、2.C&A、3.九大応力研、4.東北大金研)
キーワード：
半導体,酸化ガリウム
Ga2O3酸化物単結晶は、パワーデバイス用結晶の候補として最近注目を浴びてきている。チョクラルスキー法における酸化物結晶育成中では、結晶のねじれが問題となっている[1]。本報告では、チョクラルスキー法を用いたGa2O3単結晶成長中の結晶育成炉内の温度、流動解析を行った。特に、結晶中の内部輻射の温度分布に与える効果について解析を行った。