講演情報
[24a-12F-8]PL法によるSi中のSbドナーの定量分析 (2) SbとP共ドープ試料の定量
〇林 大吾1、酒見 亮佑1、宮村 佳児1、西澤 伸一1、田島 道夫2 (1.九大応力研、2.NPERC-J)
キーワード：
シリコン,フォトルミネッセンス,アンチモン
PL法によってSbとPの両方をドープしたSi結晶中のSbとPの濃度を分離して定量する手法を開発した。SbとPの束縛励起子の発光エネルギーは極めて近く、従来手法では分離して定量することは不可能であるが、零フォノン線とTOフォノン線の強度比がSbとPで異なることを利用して、発光ピークをSb成分とP成分に分離することに成功した。