[24a-12F-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

11:15 〜 11:30

[24a-12F-9] Si系分子イオン注入SiエピタキシャルウェーハのFeゲッタリング挙動

〇廣瀬 諒¹、柾田 亜由美¹、門野 武¹、奥山 亮輔¹、小林 弘治¹、鈴木 陽洋¹、永友 翔¹、古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.株式会社SUMCO)

キーワード：

半導体,ゲッタリング,シリコンウェーハ