講演情報
[24a-12H-7]スパッタリング法で作製した高Sc濃度ScGaN膜の圧電・強誘電特性
〇上原 雅人1、平田 研一1、中村 美子2、安岡 慎之介2、スリ アユ アンガライニ1、岡本 一輝2、山田 浩志1、舟窪 浩2、秋山 守人1 (1.産総研、2.東工大)
キーワード：
圧電体,強誘電体,窒化ガリウム
スパッタリング法により高いSc濃度のScxGa1-xN(x≈0.5)を作製した。圧電定数(d33)はこれまでに比べて向上した。また強誘電性について、坑電界が小さくなった。これの実験結果の他、ScGa合金ターゲットで作製した試料の特性についても報告する。