講演情報
[24a-12H-9]X線吸収分光法によるScGaN膜の局所構造解析
池本 勇2、平田 研一1、瀬戸山 寛之3、大曲 新矢1、スリ アユ アンガライニ1、山田 浩志1,2、秋山 守人1、〇上原 雅人1,2 (1.産総研、2.九大総理工、3.SAGA- LS)
キーワード：
圧電体,X線吸収分光法,窒化ガリウム
ScGaNは優れた圧電性能や強誘電性を示す。これらの特性は局所構造に影響されると考えられているが、第一原理計算での研究に留まっている。本研究では放射光XAFS法によりScやGa周辺の配位構造や局所構造の解明に取り組んだ。その結果、Sc濃度に対する構造変化がScとGa周辺で異なることが分かった。