講演情報
[24a-12K-2]電極構造を変えたMg2Siダイオードの暗電流及び捕獲準位の比較
〇(B)太田 岳宏1、清水 響子1、植松 達哉2、鵜殿 治彦2、角田 功1、高倉 健一郎1 (1.熊本高専、2.茨城大学)
キーワード：
半導体,シリサイド
Mg2Si pn接合ダイオードを高感度赤外検出素子として利用するために、暗電流とキャリア捕獲準位との関連を、deep level transient spectroscope法を用いて調査した。電極材料として使用した金は、Mg2Si中に捕獲準位を形成し、pn接合ダイオードの暗電流を増大させることが分かった。