2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.2 探索的材料物性・基礎物性

[24a-12K-1~11]13.2 探索的材料物性・基礎物性

2024年3月24日(日) 9:00 〜 12:00
12K (1号館)
鵜殿 治彦(茨城大)、 寺井 慶和(九工大)
9:00 〜 9:15

[24a-12K-1][第55回講演奨励賞受賞記念講演] 熱光発電に向けた Mg2Si 受光セルの作製と特性評価

〇宮後 大介1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大院)
9:15 〜 9:30

[24a-12K-2]電極構造を変えたMg2Siダイオードの暗電流及び捕獲準位の比較

〇(B)太田 岳宏1、清水 響子1、植松 達哉2、鵜殿 治彦2、角田 功1、高倉 健一郎1 (1.熊本高専、2.茨城大学)
9:30 〜 9:45

[24a-12K-3]高真空中で加熱したMg2SiにおけるMgの蒸発機構の検討

〇綿引 詩門1、植松 達哉1、本木 秀承1、木村 侑生1、鮎川 瞭仁1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大学)
9:45 〜 10:00

[24a-12K-4]マグネシウムシリサイドウエハ表層の顕微Raman3D 断層イメージング

渡邉 和馬1、〇小貫 哲平1、尾嶌 裕隆1、清水 淳1、周 立波1、鵜殿 治彦1 (1.茨大工)
10:00 〜 10:15

[24a-12K-5]スパッタ法で作製した B-ion-implanted p-BaSi2膜を用いた太陽電池

〇佐藤 匠1、竹中 晴紀1、Du Rui1、幸田 陽一朗2、召田 雅実2、都甲 薫1、末益 崇1 (1.筑波大学、2.東ソー株式会社)
10:15 〜 10:30英語発表

[24a-12K-6]Carrier Properties Control of As-doped BaSi2 Grown by Molecular Beam Epitaxy

〇(M1)Nurfauzi Abdillah1, Sho Aonuki1, Takashi Suemasu1 (1.Univ. of Tsukuba)
10:45 〜 11:00英語発表

[24a-12K-7]Effect of growth temperature on photoresponsivity of BaSi2 formed on a-SiC/TiN/SiO2

〇(D)Rui Du1, Takenaka Haruki1, Takumi Sato1, Yoichiro Koda2, Masami Mesuda2, Kaoru Toko1, Takashi Suemasu1 (1.Univ. of Tsukuba, 2.Tosoh Corp.)
11:00 〜 11:15

[24a-12K-8]近接蒸着法による傾斜Si基板上への単一結晶方位BaSi2薄膜の形成

〇原 康祐1、牧 祐孝1、類家 哉子1、山中 淳二1、有元 圭介1 (1.山梨大クリスタル研)
11:15 〜 11:30

[24a-12K-9]BaSi2太陽電池への応用に向けたHTLの特性評価

〇深谷 友香1、青貫 翔1、髙柳 香織1、岩井 藍1、都甲 薫1、末益 崇1 (1.筑波大学)
11:30 〜 11:45

[24a-12K-10]BaSi2ヘテロ接合型太陽電池への応用に向けたスパッタ法によるMoOx膜の導入

〇林 洸希1、青貫 翔1、竹中 晴紀1、佐藤 匠1、幸田 陽一朗2、召田 雅美2、都甲 薫1、末益 崇1 (1.筑波大学、2.東ソー)
11:45 〜 12:00

[24a-12K-11]ダブルヘテロ接合BaSi2太陽電池における裏面電極の為の計算材料スクリーニング

〇矢崎 智昌1、有元 圭介1、山中 淳二1、原 康祐1 (1.山梨大クリスタル研)
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