[24a-12K-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

11:00 〜 11:15

[24a-12K-8] 近接蒸着法による傾斜Si基板上への単一結晶方位BaSi₂薄膜の形成

〇原 康祐¹、牧 祐孝¹、類家 哉子¹、山中 淳二¹、有元 圭介¹ (1.山梨大クリスタル研)

キーワード：

真空蒸着,シリサイド,エピタキシャル成長