[24a-22A-1~7] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[24a-22A-1] III-V/Si集積に向けたSOI (001)基板上InP横方向MOVPE選択成長(2)

〇本間 寛弥¹、杉山 弘樹¹、開 達郎¹、瀬川 徹¹、松尾 慎治¹ (1.NTT 先デ研)

キーワード：

Si上III-V族半導体成長,選択成長,MOVPE/MOCVD

一般に、Si上III-V族半導体結晶直接成長技術による高品質結晶集積は難しい。この問題の解決に向けて、前回我々は、SOI（001）基板上でエピ層を横方向に選択成長する手法により、大面積かつ低転位密度のInP薄膜の形成に成功し、更なる高品質化と高歩留まり化に向けては回転双晶の抑制が重要であることを示した。今回我々は、本手法におけるAnti-phase boundariesの発生機構とその抑制方針を明らかにしたので報告する。