2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[24a-22A-1~7]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2024年3月24日(日) 9:30 〜 11:30
22A (2号館)
原田 幸弘(神戸大)、 西永 慈郎(産総研)
9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[24a-22A-1]III-V/Si集積に向けたSOI (001)基板上InP横方向MOVPE選択成長(2)

〇本間 寛弥1、杉山 弘樹1、開 達郎1、瀬川 徹1、松尾 慎治1 (1.NTT 先デ研)
9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[24a-22A-2]近赤外域で光吸収・発光特性を示すSi上化合物半導体ナノワイヤ

〇峰久 恵輔1,2、橋本 英季1,2、中間 海音1,2、石川 史太郎1,2 (1.北大情報科学院、2.北大量集セ)
10:00 〜 10:15

[24a-22A-3]MBE法によるSi(111)基板上GaAsナノワイヤ核形成初期段階の検討

〇中間 海音1,2、峰久 恵輔1,2、橋本 英季1,2、石川 史太郎1,2 (1.北大情科院、2.北大量集セ)
10:15 〜 10:30

[24a-22A-4]積層周期を変化させたGaAs/GaNAsコア-マルチシェル多重量子井戸構造ナノワイヤの分子線エピタキシャル成長

〇飯田 竜雅1,3、中間 海音2,3、橋本 英李2,3、峰久 惠輔2,3、石川 史太郎3 (1.北大工、2.北大情科院、3.北大量集セ)
10:45 〜 11:00

[24a-22A-5]GaAs/GaInNAsSbコア-マルチシェルナノワイヤの分子線エピタキシャル成長

〇後藤 拓翔1,3、中間 海音2,3、橋本 英李2,3、峰久 恵輔2,3、石川 史太郎3 (1.北大工、2.北大情科院、3.北大量集セ)
11:00 〜 11:15

[24a-22A-6]GaAs系ナノワイヤにおけるアニール処理温度が光学特性へ与える影響

〇橋本 英季1,3、飯田 竜雅2,3、後藤 拓翔2,3、峰久 恵輔1,3、中間 海音1,3、石川 史太郎3 (1.北大情科院、2.北大工、3.北大量子集積セ)
11:15 〜 11:30英語発表

[24a-22A-7]Fine tuning InAs quantum dot growth parameters for high areal coverage and density

〇(P)Hanif Mohammadi1, Ronel Roca1, Itaru Kamiya1 (1.Toyota tech. inst.)
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