[24a-22A-1~7] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

10:00 〜 10:15

[24a-22A-3] MBE法によるSi(111)基板上GaAsナノワイヤ核形成初期段階の検討

〇中間 海音^1,2、峰久 恵輔^1,2、橋本 英季^1,2、石川 史太郎^1,2 (1.北大情科院、2.北大量集セ)

キーワード：

ナノワイヤ,分子線エピタキシー,Ⅲ/Ⅴ族材料