[24a-22A-1~7] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

11:00 〜 11:15

[24a-22A-6] GaAs系ナノワイヤにおけるアニール処理温度が光学特性へ与える影響

〇橋本 英季^1,3、飯田 竜雅^2,3、後藤 拓翔^2,3、峰久 恵輔^1,3、中間 海音^1,3、石川 史太郎³ (1.北大情科院、2.北大工、3.北大量子集積セ)

キーワード：

半導体ナノワイヤ,分子線エピタキシー,アニール