講演情報
[24a-31B-1]CVD 初期成長における hBN 島のエッジに関する理論研究
〇(M1)今村 僚1、影島 博之1 (1.島根大院自然科学)
キーワード：
六方晶窒化ホウ素,CVD成長,第一原理計算
hBNは、二次元半導体を使ったトランジスタの絶縁膜として応用されている。例えば、二次元半導体の下地に用いることで界面が平滑になり、界面散乱やトラップの抑制が可能となる。hBN を CVD 成長で作成することは、コストの面で都合がよい。しかし、品質に課題を抱えており、その向上が求められている。そのためにも、hBN の詳細な成長メカニズムを明らかにしたい。そこで、我々は CVD 成長における最も基礎的な観点である、内因性の成長核形成を想定した解析を試みた。本発表では、プログラムパッケージPHASE/0を用いた第一原理計算による理論検討の結果を報告する。