セッション詳細

[24a-52A-1~9]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2024年3月24日(日) 9:00 〜 11:30
52A (5号館)
塩島 謙次(福井大)

[24a-52A-1]HVPE基板およびOVPE基板上GaNエピ層の特性評価

〇古橋 優1、石井 達也1、宇佐美 茂佳2、森 勇介2、渡邉 浩崇3、新田 州吾3、本田 善央3、天野 浩3、加藤 正史1 (1.名工大院工、2.阪大院工、3.名大未来研)

[24a-52A-2]OVPE-GaN基板上縦型パワーデバイスのその場ナノビームX線回折

〇林 侑介1、藤平 哲也1、隅谷 和嗣2、今井 康彦2、木村 滋2、宇佐美 茂佳3、今西 正幸3、森 勇介3、分島 彰男4、渡邉 浩崇5、新田 州吾5、本田 善央5、天野 浩5、酒井 朗1 (1.阪大院基礎工、2.JASRI、3.阪大院工、4.名工大、5.名大未来研)

[24a-52A-3]ホモエピタキシャル成長n 型GaNにおいて電子線照射によりEC − 1 e V 付近に形成される窒素変位関連トラップの熱アニール挙動

〇遠藤 彗1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

[24a-52A-4]ホモエピタキシャル成長n型GaN中の格子間窒素が形成する2つの準位の特定

〇遠藤 彗1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1 (1.名大院工、2.名大未来研)

[24a-52A-5]貫通転位密度の異なる自立GaN基板上にN/Mgイオン注入により作製したp-n接合ダイオードの電気特性

〇(D)伊藤 佑太1、權 熊1、川崎 晟也1、渡邉 浩崇2、出来 真斗3、新田 州吾2、本田 善央2,3,4、田中 敦之2、天野 浩2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大Dセンター、4.名大IAR)

[24a-52A-6]高温熱処理がn-GaNショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性に与える影響

〇權 熊1、伊藤 佑太1、川崎 晟也1、渡邉 浩崇2、田中 敦之2、本田 善央2,3,4、天野 浩3,2,4 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大Dセンター、4.名大IAR)

[24a-52A-7]酸素イオン注入n型GaNで観測される実効ドナー密度変動と長い捕獲時定数を持つトラップの関係性

〇林 慶祐1、堀田 昌宏1,2、田中 亮3、高島 信也3、上野 勝典3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.富士電機)

[24a-52A-8]スパッタアニールAlN上MBEホモエピタキシャル層の成長条件探索と微細構造解析

〇西村 海音1、林 侑介1、藤平 哲也1、Cho Yongjin2、Encomendero Jimy3、Xing Huili (Grace)3、Jena Debdeep3、三宅 秀人4、酒井 朗1 (1.阪大院基礎工、2.パウルドルーデ研、3.コーネル大学、4.三重大院工)

[24a-52A-9]多端子C–V法を用いたAlSiO/AlN/p型GaN-MOSFETの禁制帯中準位の評価

〇成田 哲生1、伊藤 健治1、井口 紘子1、岩崎 四郎1、冨田 一義2、菊田 大悟1 (1.豊田中研、2.名古屋大)