[24a-52A-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:00 〜 10:15

[24a-52A-5] 貫通転位密度の異なる自立GaN基板上にN/Mgイオン注入により作製したp-n接合ダイオードの電気特性

〇(D)伊藤 佑太¹、權 熊¹、川崎 晟也¹、渡邉 浩崇²、出来 真斗³、新田 州吾²、本田 善央^2,3,4、田中 敦之²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大Dセンター、4.名大IAR)

キーワード：

Mgイオン注入,パワーデバイス

Mgイオン注入を用いたGaNの局所的なp型伝導性制御は縦型パワーデバイス作製において必要不可欠な技術である。本研究では転位密度が異なる自立GaN基板を用いて、N/Mgイオン注入p-n接合ダイオード(PND)を作製、評価した。