講演情報
[24a-52A-6]高温熱処理がn-GaNショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性に与える影響
〇權 熊1、伊藤 佑太1、川崎 晟也1、渡邉 浩崇2、田中 敦之2、本田 善央2,3,4、天野 浩3,2,4 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大Dセンター、4.名大IAR)
キーワード：
ショットキーバリアダイオード,高温アニール,逆方向リーク電流
AlN保護膜を用いた高温熱処理によるn-GaNショットキーバリアダイオード(SBD)の電気特性の変化について調べた。1200℃以上でアニールしたSBDの場合、ショットキー障壁高さの減少、逆方向リーク電流の増加が確認された。PL測定結果、リーク電流とYL強度が比例していることが確認された。選択的p-GaN形成時、高温熱処理によるn-GaNの欠陥増加、それによるの電気特性悪化に注意が必要である。