[24a-52A-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[24a-52A-8] スパッタアニールAlN上MBEホモエピタキシャル層の成長条件探索と微細構造解析

〇西村 海音¹、林 侑介¹、藤平 哲也¹、Cho Yongjin²、Encomendero Jimy³、Xing Huili (Grace)³、Jena Debdeep³、三宅 秀人⁴、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工、2.パウルドルーデ研、3.コーネル大学、4.三重大院工)

キーワード：

窒化物半導体,MBE,TEM

窒化物半導体は高い破壊耐圧電界や電子移動度を持つことから、高耐圧・高速通信用トランジスタへの応用が盛んに進められてきた。本研究ではGaN/AlN 2次元キャリアガス構造を利用したn, pチャネルトランジスタのモノリシック集積に向け、スパッタアニールAlN（FFA Sp-AlN）上におけるAlNの分子線エピタキシー（MBE）成長条件の探索及び成長表面・層構造の微細構造解析を行った。