講演情報
[24a-52A-9]多端子C–V法を用いたAlSiO/AlN/p型GaN-MOSFETの禁制帯中準位の評価
〇成田 哲生1、伊藤 健治1、井口 紘子1、岩崎 四郎1、冨田 一義2、菊田 大悟1 (1.豊田中研、2.名古屋大)
キーワード：
金属ー酸化膜ー半導体,容量ー電圧,窒化ガリウム
MOS界面の禁制帯中準位は、MOSFETのチャネル移動度とバイアス安定性に影響を与える。従来はモデル試料となる2端子MOSダイオードのC–V特性を評価し、同等のゲート構造を持つMOSFETの特性と比較、議論がされてきた。しかし、MOSダイオードとMOSFETの界面状態の同一性を保証するのは難しい。本研究では、多端子C–V評価を用いてGaN MOSFETの禁制帯中準位を直接抽出する手法を示す。提案手法を用いれば、電子反転と正孔蓄積を切り分けて評価できる。