[24a-61A-1~7] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

10:15 〜 10:30

[24a-61A-3] Mist-CVD法を用いたα-In-Sn-Zn-O TFTの作製に関する研究

〇塩見 勇樹¹、清水 耕作¹ (1.日大生産)

キーワード：

酸化物半導体,ミストCVD,In-Sn-Zn-O

[目的]ミストCVD法を用いてIn-Sn-Zn-Oの成膜を行い、TFTデバイスの作製をする。[方法]成膜時にミストの間欠比や基板温度を変化させ、～3.2eV前後のバンドギャップを持ちアモルファス構造の膜が得られる条件を検討する。その後、検討した条件を用いてTFTを作製する。[結果]実験の結果、間欠比が1：10以上で基板温度が２５０℃以下の条件で成膜することで、ＴＦＴの動作が確認された。