2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[24a-61A-1~7]21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2024年3月24日(日) 9:45 〜 11:30
61A (6号館)
古田 守(高知工科大)
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9:45 〜 10:00英語発表

[24a-61A-1]Optical and defect control in WO3-x films for charge transfer-based SERS applications

〇(M2)Yan Ding1, Jiaqi Yang1, Tang Dang1, Hitoshi Tabata1, Hiroaki Matsui1 (1.The Univ. of Tokyo)
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10:00 〜 10:15

[24a-61A-2]SnO2薄膜及びSnO2を用いたCO2ガスセンサへの陽子線照射が与える影響

〇服部 汰星1、前田 拓人1、杉山 睦1,2 (1.東理大　創域理工、2.東理大　総研)
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10:15 〜 10:30

[24a-61A-3]Mist-CVD法を用いたα-In-Sn-Zn-O TFTの作製に関する研究

〇塩見 勇樹1、清水 耕作1 (1.日大生産)
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10:30 〜 10:45

[24a-61A-4]溶液法IGZO薄膜の組成比がオゾン検出感度に与える影響

〇笹島 宏青1、森本 貴明1、石井 啓介1 (1.防衛大)
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10:45 〜 11:00英語発表

[24a-61A-5]Reliable Device Operation in High-Mobility Indium Oxide Thin Film Transistors

〇(PC)Prashant Ghediya1, Yusaku Magari1, Takashi Endo1, Mamoru Furuta2, Yuqiao Zhang3, Yasutaka Matsuo1, Hiromichi Ohta1 (1.RIES-Hokkaido Univ., 2.Kochi Univ. Tech., 3.Jiangsu Univ.)
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11:00 〜 11:15

[24a-61A-6]高移動度酸化物薄膜トランジスタにおける真性電界効果移動度の評価

〇高橋 崇典1、浦岡 行治1 (1.奈良先端大)
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11:15 〜 11:30英語発表

[24a-61A-7]Study on the correlation between carbon impurity and electrical properties of InOx thin film

〇CHIATSONG CHEN1, Yuki Yoshimoto2, Toshifumi Irisawa1, Tatsuro Maeda1 (1.AIST, 2.KE)
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