講演情報
[24a-61B-4][第45回解説論文賞受賞記念講演] 電子デバイスにおけるイオン照射誘起欠陥形成（プラズマプロセス誘起ダメージ）とその評価手法
〇江利口 浩二1 (1.京大院工)
キーワード：
プラズマ,欠陥形成,電子デバイス
プラズマプロセスは，大規模集積回路をはじめ多くのデバイス・材料作製に用いられている。一方で，プラズマプロセス設計で想定外の反応機構（欠陥形成）はプラズマプロセス誘起ダメージとよばれ，これまで精力的にその機構の理解と制御が進められてきた。本講演では，プラズマプロセス誘起ダメージの１つ，イオン衝撃による欠陥形成機構に着目し，その評価方法を中心に議論する。