講演情報
[24a-P07-5]Theoretical Analysis of InGaN Vacuum Traveling Carrier Photodiodes for Terahertz Wave Generation
黄 荻谷1、王 露源1、呉 訊1、李 文彪1、髙畑 清人1、加藤 和利2、〇硴塚 孝明1 (1.早大情シス、2.九大シス情)
キーワード：
フォトダイオード,光電変換素子,テラヘルツ波
テラヘルツ波生成に向けたInGaN真空走行キャリアフォトダイオードの理論検討を行った。p型InGaN吸収層と真空コレクタ領域からなる光電変換素子を設計し、周波数応答特性とテラヘルツ出力をシミュレーションにより評価した。真空コレクタ領域の効果により静電容量が抑制され、大面積素子の高周波応答が期待される。フォトミキシングによる300 GHzにおけるミリワット級出力の可能性を示す。