講演情報
[24a-P09-1]斜入射堆積法により作製した微細構造化酸化銅薄膜の光学的特性
〇坂本 大和1、井上 泰志1、高井 治2 (1.千葉工大院工、2.関東学院大学)
キーワード：
離散的柱状構造,斜入射堆積法,酸化銅
本研究では，RFマグネトロンスパッタリング装置を用いて，p型半導体特性を示すことが報告されている酸化銅薄膜を作製し，その光学的特性を調査することを目的とした．酸素流量0.10 sccmではCu2O結晶相が確認され，0.40 sccmではCuO相が支配的になり，光学ギャップはそれぞれ2.02 eV，1.48 eVであり，報告されているバンドギャップと一致しており，XRDの結果と対応する．