[24p-12F-1~7] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

15:00 〜 15:15

[24p-12F-5] シリコン結晶基板の品質と点欠陥/第二世代(10)同位体と真正点欠陥の偏析

〇井上 直久¹、川又 修一¹、奥田 修一¹ (1.大阪公大 放射線研究センター)

キーワード：

シリコン結晶,同位体,偏析係数

シリコン結晶研究の高度化の方向を3つ提案する。(1)二次的要因の効果で、酸素析出に対する空孔の効果や、grown-in欠陥形成への応力の効果。実験と理論の連携が必。 (2)平均から局所への真実への接近。軽元素不純物濃度による格子定数の変化は、どちらも平均が議論されてきたが、局所的な真値同士の関係を調べる必要がある。