[24p-12F-1~7] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

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[24p-12F-6] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学/第二世代 (24) 窒素ドープFZシリコンのパワーデバイス特性とVNs

〇井上 直久¹、川又 修一¹、奥田 修一¹ (1.大阪公大 放射線研究センター)

キーワード：

シリコン結晶,赤外吸収,窒素

N-ドープFZ結晶を低温熱処理するとdeep levelが発生しライフタイムが低下する。最近パワーデバイスの劣化が問題とされた。我々は以前に電子線照射して点欠陥を導入した結晶を低温熱処理すると689,685cm-1吸収が発生することを見出し、VVNN, VNsと同定し、前者はas-grownでも存在することから、VNsが原因と考えた。