[24p-12G-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

16:15 〜 16:30

[24p-12G-11] アモルファスSrCO₃を犠牲層とした水リフトオフプロセスの検討

梶谷 亮介¹、林 悠月¹、宮澤 佳甫²、福間 剛士²、〇川江 健¹ (1.金沢大理工、2.WPI-NanoLSI)

キーワード：

酸化物薄膜,選択成長,水リフトオフ