講演情報
[24p-12H-8]PCSD法を用いて製膜した高絶縁破壊電界強度を有するイットリア膜
〇中島 智彦1、北中 佑樹1、山口 巖1、野本 淳一1 (1.産総研)
キーワード：
絶縁体膜,高絶縁破壊電界強度,レーザープロセス
PCSD(Photo-assisted Chemical Solution Deposition)法を用いてイットリア膜を作製した。様々な製膜手法の膜厚空白領域（500nm～10μm）に着目し、膜厚1.4μmにおいて12.5MV/cmに達する極めて大きな絶縁破壊電界強度と1.0kVを大きく超える耐電圧の両立に成功した。