講演情報
[24p-12K-2]c-Al2O3基板上へのエピタキシャルMg3Sb2薄膜の作製
〇(D)鮎川 瞭仁1、切通 望1、綿引 詩門1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大)
キーワード：
熱電材料,Zintl相,エピタキシャル成長
薄膜型熱電材料はIoT等に利用可能な廃熱を利用した小型自立電源への応用が期待され、中でも室温付近で高い性能を示すMg3Sb2系材料が注目を集めている。Mg3Sb2はc軸方向に特徴的な層状構造を持ち、面内方向で高い熱電特性が予測されているため、c面に配向させたエピタキシャル薄膜が求められる。本研究では、熱電応用に向けた分子線エピタキシー法によるエピタキシャルMg3Sb2薄膜作製法の確立を目的とした。