セッション詳細

[24p-12K-1~7]13.2 探索的材料物性・基礎物性

2024年3月24日(日) 13:30 〜 15:15
12K (1号館)
原 康祐(山梨大)

[24p-12K-1]熱電応用に向けたAgBa2Si3の特性評価と第一原理計算

〇梶原 君円1、石山 隆光1、青貫 翔1、都甲 薫1、幸田 陽一朗2、召田 雅実2、本多 周太3、末益 崇1 (1.筑波大院、2.東ソー株式会社、3.関西大学)

[24p-12K-2]c-Al2O3基板上へのエピタキシャルMg3Sb2薄膜の作製

〇(D)鮎川 瞭仁1、切通 望1、綿引 詩門1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大)

[24p-12K-3]SrSi2の電子構造

〇今井 基晴1、Alinejad Babak2、鵜殿 治彦2、高橋 博樹3、新井 正男1 (1.物質・材料研究機構、2.茨城大、3.日本大)

[24p-12K-4]ファンデルワールスエピタキシーによるBi2Se3/CdSe/ Bi2Se3構造の作製

〇小田部 龍哉1、山形 悠太1、寺井 慶和1 (1.九工大情報工)

[24p-12K-5]3d遷移金属ダイシリサイドの電子状態

〇今井 基晴1 (1.物質・材料研究機構)

[24p-12K-6]β-(Fe1-xRux)Si2多結晶薄膜における電気伝導特性のRu組成比依存性

〇櫻井 優1、髙橋 匠1、寺井 慶和1 (1.九工大情報工)

[24p-12K-7]Ge/β-FeSi2薄膜におけるGe面内ひずみ量の初期成長温度依存性

〇石飛 新太郎1、長友 颯一朗1、寺井 慶和1 (1.九工大情報工)