講演情報

[24p-12K-4]ファンデルワールスエピタキシーによるBi2Se3/CdSe/ Bi2Se3構造の作製

〇小田部 龍哉1、山形 悠太1、寺井 慶和1 (1.九工大情報工)

キーワード:

トポロジカル絶縁体,Bi2Se3,CdSe

トポロジカル絶縁体Bi2Se3では表面にギャップレスの高移動度,スピン偏極したトポロジカル電子状態が発現するが,トポロジカル電子状態は表面酸化の影響を強く受ける.そこで我々は,CdSe/Bi2Se3超格子の作製を最終目標としている.前回我々は,Si(111)基板上へのCdSe /Bi2Se3成長について検証したが,本研究ではBi2Se3/CdSe/Bi2Se3成長の成長温度依存性について検証した.