講演情報
[24p-12K-4]ファンデルワールスエピタキシーによるBi2Se3/CdSe/ Bi2Se3構造の作製
〇小田部 龍哉1、山形 悠太1、寺井 慶和1 (1.九工大情報工)
キーワード：
トポロジカル絶縁体,Bi2Se3,CdSe
トポロジカル絶縁体Bi2Se3では表面にギャップレスの高移動度，スピン偏極したトポロジカル電子状態が発現するが，トポロジカル電子状態は表面酸化の影響を強く受ける．そこで我々は，CdSe/Bi2Se3超格子の作製を最終目標としている．前回我々は，Si(111)基板上へのCdSe /Bi2Se3成長について検証したが，本研究ではBi2Se3/CdSe/Bi2Se3成長の成長温度依存性について検証した．