講演情報
[24p-12K-6]β-(Fe1-xRux)Si2多結晶薄膜における電気伝導特性のRu組成比依存性
〇櫻井 優1、髙橋 匠1、寺井 慶和1 (1.九工大情報工)
キーワード：
シリサイド半導体,混晶,電気伝導機構
我々はシリサイド半導体β-FeSi2のバンド構造制御を目的に，Ru添加β-FeSi2に着目している．これまで，スパッタリング法によりx=0.71までのβ-(Fe1-xRux)Si2多結晶薄膜の作製に成功し，Ru添加による1.5 µm発光強度の増大を確認している．しかし，Ru添加が電気伝導特性へ与える影響は未検証であるため，本研究ではβ-(Fe1-xRux)Si2多結晶薄膜の電気伝導特性を評価した．