講演情報
[24p-12K-7]Ge/β-FeSi2薄膜におけるGe面内ひずみ量の初期成長温度依存性
〇石飛 新太郎1、長友 颯一朗1、寺井 慶和1 (1.九工大情報工)
キーワード：
結晶,ゲルマニウム,ひずみ
Ⅳ族半導体Geは間接遷移半導体であるが，2%の引張ひずみ導入により直接遷移半導体となることが予測されている．我々はこれまで，Ge/β-FeSi2薄膜に熱処理を施した結果，0.7%程度の引張ひずみ導入に成功している．しかし，引張ひずみが転位で緩和してしまっている可能性がある．そこで本研究では，Ge初期成長温度の低温化によるGe層中での転位減少を期待し，面内ひずみ量のGe初期成長温度依存性を検証した．