[24p-21B-1~12] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

13:45 〜 14:00

[24p-21B-4] アモルファス酸化物界面の遷移領域と界面熱抵抗の関係：分子動力学による解析

〇渡辺 留久人¹、渡邉 孝信¹、西村 祐亮¹ (1.早大理工)

キーワード：

半導体,熱抵抗,界面