[24p-21B-1~12] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

14:30 〜 14:45

[24p-21B-6] エピタキシャルGeTe薄膜/Siの熱伝導率とフォノン輸送機構

〇石部 貴史^1,2、成瀬 延康³、目良 裕³、山下 雄一郎⁴、大石 佑治⁵、中村 芳明^1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪大OTRI、3.滋賀医科大、4.産総研、5.阪大院工)

キーワード：

熱電材料,カルコゲナイド,熱伝導率

薄膜熱電材料は、小型・軽量なため可動性を必要とするセンサ等の電源としての利用が期待される。GeTeは、低群速度由来の低熱伝導率と高縮重度由来の高ゼーベック係数が期待され、実際にGeTeバルクで高い性能が報告されている。本研究では、Ge空孔濃度制御・ドメイン制御を施したエピタキシャルGeTe薄膜/Siの熱伝導率を報告するとともに、熱伝導率の温度依存性を取得することでフォノン輸送機構を明らかにすることを目的とする。