[24p-22A-1~7] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[24p-22A-1] 希薄窒化InGaAsN量子ドットの円偏光発光特性; 成長温度依存性

〇森田 彩乃¹、樋浦 諭志¹、高山 純一¹、村山 明宏¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：

希薄窒化物半導体,量子ドット,フォトルミネッセンス

Ⅲ-Ⅴ族半導体量子ドットはスピン発光デバイスの活性層として注目されているが、室温での発光強度低下、円偏光度向上という2つの課題がある。申請者はこれまで窒素導入した希薄窒化InGaAsN量子ドットにより、室温で高い発光強度を実現した。今回は高輝度かつ高円偏光発光を目指し、スピンフィルタリング欠陥誘起のためInGaAsN量子ドットを低温成長した結果、室温での円偏光度を大きく向上させることに成功した。