セッション詳細
[24p-22A-1~7]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
2024年3月24日(日) 13:30 〜 15:30
22A (2号館)
石川 史太郎(北大)、 樋浦 諭志(北大)
[24p-22A-1]希薄窒化InGaAsN量子ドットの円偏光発光特性; 成長温度依存性
〇森田 彩乃1、樋浦 諭志1、高山 純一1、村山 明宏1 (1.北大院情報科学)
[24p-22A-2]Molecular Beam Epitaxial Growth of MnSb, InSb and MnSb/InSb on GaAs (111) B for spin device application
〇(D)Faysal MD KABIR1, Md Tauhidul Islam1, Masashi Akabori1 (1.Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST),)
[24p-22A-3]拡大推定曲率法を用いた InAs/GaAs 量子ドットの S-K 成長モードその場観察
〇權 晋寛1、荒川 泰彦1 (1.東大ナノ量子)
[24p-22A-4]III-V希薄窒化物混晶の成長過程におけるアンチモンサーファクタント効果
〇山根 啓輔1、彦坂 昌志1、若原 昭浩1 (1.豊橋技科大)
[24p-22A-5]GaAs基板上InGaAs/GaAsSb/InGaAs Type-II量子井戸におけるGaAsSb膜厚変化による組成と発光特性への影響の調査
〇國武 幸一郎1、臼井 一旗1、高島 陸人1、荒井 昌和1 (1.宮崎大工)
[24p-22A-6]GaAs(111)A上のInSbメタモルフィック成長：InAs界面層の挿入効果
〇間野 高明1、大竹 晃浩1 (1.NIMS)
[24p-22A-7]Effects of surface treatments on the photoluminescence intensity of buried quantum wells
〇(D)ZHAO MA1,2, Takaaki Mano1, Akihiro Ohtake1, Takashi Kuroda1,2 (1.NIMS, 2.Kyushu Univ.)