[24p-22A-1~7] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

14:00 〜 14:15

[24p-22A-3] 拡大推定曲率法を用いた InAs/GaAs 量子ドットの S-K 成長モードその場観察

〇權 晋寛¹、荒川 泰彦¹ (1.東大ナノ量子)

キーワード：

分子線エピタキシー,拡大推定曲率法

GaAs 基板上への InAs の成長は Stranski-Krastanov (SK) 成長モードに従う。格子定数の違いによる応力は成長初期には小さく、2次元成長されるが、成長層が厚くなるにつれ蓄積され、臨界膜厚に達すると3次元成長に遷移し、緩和される。一方、結晶成長中のひずみ変化は基板の 曲率変化により観測できるが、InAs/GaAs 量子ドットではその変化量が小さく、その観測が困難であった。本研究では、分子線エピタキシー(MBE)成長に置いて基板の曲率が高精度に推定できる拡大推定曲率(Magnification Inferred Curvature:MIC)法を適用することで、量子ドットの形成および緩和過程でのひずみ変化を観測することに成功したので報告する。