[24p-22A-1~7] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

14:45 〜 15:00

[24p-22A-5] GaAs基板上InGaAs/GaAsSb/InGaAs Type-II量子井戸におけるGaAsSb膜厚変化による組成と発光特性への影響の調査

〇國武 幸一郎¹、臼井 一旗¹、高島 陸人¹、荒井 昌和¹ (1.宮崎大工)

キーワード：

半導体

本研究では、GaAs/GaAsSb/GaAs構造のGaAsSbの薄膜化によるSb組成の変化をX線回折(XRD)から見積もることと、InGaAs/GaAsSb/InGaAs構造のフォトルミネッセンス(PL)を評価した。その結果、GaAs/GaAsSb/GaAs構造では、GaAsSbを薄膜化することにより、Sb組成が減少することを確認した。また、InGaAs/GaAsSb/InGaAs構造では、GaAsSbが厚いほど長波長化しているが、PL強度は低下することを確認した。