[24p-22A-1~7] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

15:00 〜 15:15

[24p-22A-6] GaAs(111)A上のInSbメタモルフィック成長：InAs界面層の挿入効果

〇間野 高明¹、大竹 晃浩¹ (1.NIMS)

キーワード：

ガリウム砒素,インジウムアンチモン,メタモルフィック成長

GaAs(111)A基板上にInSbをメタモルフィック成長することを試みた。同基板上にInAsを成長させると特異な格子緩和機構が働くことにより、格子緩和した平坦な膜が成長できることが知られているが、InSbをGaAs上に直接成長した表面は平坦性が悪いことが分かった。そこで、５MLのInAsを挿入したところ、InSbの平坦性が劇的に改善した。