セッション詳細

[24p-52A-1~19]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2024年3月24日(日) 13:00 〜 18:15
52A (5号館)
牧山 剛三(住友電工)

[24p-52A-1]厚いSiO2マスクを用いた再成長によるGaAsSb/InGaAsトンネルFETの改善

〇范 珈偉1、宮本 恭幸1、荒井 昌和2 (1.東工大、2.宮崎大)

[24p-52A-2]GaInSb HEMTのバリア層薄膜化による真性遅延時間低減

吉田 陸人1、〇河野 亮介1、海老原 怜央1、神内 智揮1、渡邊 一世2,1、山下 良美2、町田 龍人2、原 紳介2、笠松 章史2、遠藤 聡1、藤代 博記1 (1.東理大先進工、2.情報通信研究機構)

[24p-52A-3]300 GHz超fT, fmaxダブルドープ構造GaInSb HEMT

〇吉田 陸人1、河野 亮介1、海老原 怜央1、神内 智揮1、渡邊 一世2,1、山下 良美2、町田 龍人2、原 紳介2、笠松 章史2、遠藤 聡1、藤代 博記1 (1.東理大先進工、2.情報通信研究機構)

[24p-52A-4]ミリ波GaN IMPATTダイオード作製に向けた光化学(PEC)エッチングプロセスの開発

〇豊田 拓輝1、川崎 昴也1、古澤 優太2、塚本 涼子2、本田 善央2、天野 浩2 (1.名大院工、2.名大未来研)

[24p-52A-5]低コスト化と高放熱性に向けたGaN on-diamond HEMTs構造の作製

〇(M1)富山 葉月1、浦谷 泰基2、坂井田 佳紀2、西林 良樹3、竹内 茉莉花3、重川 直輝1、梁 剣波1 (1.大阪公立大工、2.エア・ウォーター、3.住友電工)

[24p-52A-6]極性反転層を用いた高品質N極性面AlN上GaN/AlN HEMTの性能改善

〇Zazuli Hiyama Aina1、稲原 大輔1、小脇 岳土1、宮本 弥凪1、花咲 光基1、藤井 開1、仁ノ木 亮祐1、長田 空1、木本 大星1、倉井 聡1、岡田 成仁1、山田 陽一1 (1.山口大創成科学)

[24p-52A-7]N極性面GaN/AlN高電子移動度トランジスタのGaNチャネルの最適化

〇藤井 開1、小脇 岳土1、宮本 弥凪1、Zazuli Hiyama Aina1、花咲 光基1、木本 大星1、倉井 聡1、岡田 成仁1、山田 洋一1 (1.山口大院創成科学)

[24p-52A-8]AlN系分極ドープFETの構造検討

〇廣木 正伸1、熊倉 一英1、谷保 芳孝1 (1.NTT物性研)

[24p-52A-9]SiC基板上SiドープAlN SBDの電流輸送機構と障壁高さの温度依存性

〇棟方 晟啓1、廣木 正伸2、熊倉 一英2、谷保 芳孝2、中野 義昭1、前田 拓也1 (1.東大工、2.NTT物性科学基礎研)

[24p-52A-10]二次元電子ガスを有さない薄層AlGaN/GaNヘテロ構造へのオーミック接触に対する多端子ホール測定

〇瓜生 和也1、Deng Yuchen2、南條 拓真3、古橋 壮之3、西川 和康3、鈴木 寿一2 (1.アドバンテスト研、2.北陸先端大、3.三菱電機)

[24p-52A-11]AlGaN/GaNヘテロ接合における二次元電子ガスのドリフト速度の測定

〇(B)若本 裕介1、河原 孝彦2、吉田 成輝2、牧山 剛三2、中田 健2、中野 義昭1、前田 拓也1 (1.東大工、2.住友電気工業株式会社)

[24p-52A-12]AlGaN/GaN HEMT動作下におけるナノ秒応答格子変形の支配因子の解析

〇(M2)山口 将矢1、嶋田 章宏1、今井 康彦2、藤平 哲也1、林 侑介1、橋詰 保3、隅谷 和嗣2、木村 滋2、酒井 朗1 (1.阪大院基礎工、2.JASRI、3.名大未来材料・システム研究所)

[24p-52A-13]フリーホイールダイオードを内蔵したソース接続分極超接合トランジスタの飽和電流増加構造の検討

〇(M2)小久保 瑛斗1、渡邉 浩崇2、出来 真斗3、田中 敦之2、新田 州吾2、本田 善央2,3,4、天野 浩2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大Dセンター、4.名大IAR)

[24p-52A-14]100 GHz帯1 W級GaNパワーアンプMMICの開発

〇熊崎 祐介1、尾崎 史朗1、中舍 安宏1、岡本 直哉1、山田 敦史1、多木 俊裕1 (1.富士通(株))

[24p-52A-15]i線ステッパーによる100 nm級AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの作製

〇安藤 裕二1,2、牧迫 隆太郎1、高橋 英匡1、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)

[24p-52A-16]EID AlGaN/GaN MOS-HEMTのゲート電極直下の電子状態解析

〇南條 拓真1、今澤 貴史1、清井 明1、古橋 壮之1、西川 和康1、江川 孝志2 (1.三菱電機、2.名古屋工業大学)

[24p-52A-17]GaN-HEMTの過電圧印加時破壊過程のデバイス依存

〇齋藤 渉1、西澤 伸一1 (1.九大応力研)

[24p-52A-18]高濃度n型GaNスパッタ膜の表面形態および電気的特性の成膜温度依存性

〇田中 希帆1、山田 真嗣1、新井 学2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大IMaSS)

[24p-52A-19]n型GaNスパッタ膜の電気的特性に対するアニール効果

〇山田 真嗣1、新井 学1、加地 徹1、須田 淳1 (1.名大)