講演情報
[24p-52A-12]AlGaN/GaN HEMT動作下におけるナノ秒応答格子変形の支配因子の解析
〇(M2)山口 将矢1、嶋田 章宏1、今井 康彦2、藤平 哲也1、林 侑介1、橋詰 保3、隅谷 和嗣2、木村 滋2、酒井 朗1 (1.阪大院基礎工、2.JASRI、3.名大未来材料・システム研究所)
キーワード：
半導体,AlGaN/GaN HEMT,nanoXRD
AlGaN/GaN 高電子移動度トランジスタ（HEMT）素子において、動作時の電圧印加によって逆圧電効果が生じ、それにより誘起された格子欠陥がデバイス劣化を引き起こすという問題が報告されている。また、この問題に加え自己発熱効果による熱膨張も同時に存在すると考えられる。デバイス動作時に生じる格子歪に対する、これら効果の寄与の定量的な理解は不可欠である。本研究では、SPring-8のナノビームX線回折（nanoXRD）を用いたオペランド測定手法を利用し、AlGaN/GaN HEMTの動作状態における局所的な格子変形の動的挙動を調べた。そしてHEMTデバイス動作時に生じる格子歪を支配する要因の解析を行った。