講演情報
[24p-52A-14]100 GHz帯1 W級GaNパワーアンプMMICの開発
〇熊崎 祐介1、尾崎 史朗1、中舍 安宏1、岡本 直哉1、山田 敦史1、多木 俊裕1 (1.富士通(株))
キーワード：
窒化ガリウム,高電子移動度トランジスタ,電力増幅器
本発表では，100 GHz帯において，出力1 W以上を有するGaNパワーアンプMMICを実現したプロセス技術についてご報告する．選択再成長（SAG）前にSiNを成膜するPre-SAG passivationを導入し，従来構造と比較して，電気特性の改善が認められた．本技術を適用することで，動作電圧15 Vで電力付加効率（PAE）は最大17.1%，出力電力は最大0.76 W（出力電力密度2.4 W/mm）が得られ，動作電圧 20 VではPAEは最大14.3%，出力電力は最大1.0 W（出力電力密度3.2 W/mm）が得られた．