講演情報
[24p-52A-15]i線ステッパーによる100 nm級AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの作製
〇安藤 裕二1,2、牧迫 隆太郎1、高橋 英匡1、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
キーワード：
窒化ガリウム,高電子移動度トランジスタ
サーマルリフロー法を用いて100 nm級AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTを作製した。作製したデュアルゲート素子はキャリア閉じ込めが向上してピンチオフ性が改善した。Mason's Uの外挿から求めたfmaxはシングルゲート素子が150 GHz、デュアルゲート素子が240 GHzであった。これらの結果はデュアルゲート構造がTHz帯でのGaN-HEMTの利得性能を向上する可能性を示している。