[24p-52A-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

17:45 〜 18:00

[24p-52A-18] 高濃度n型GaNスパッタ膜の表面形態および電気的特性の成膜温度依存性

〇田中 希帆¹、山田 真嗣¹、新井 学²、加地 徹²、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大IMaSS)

キーワード：

窒化ガリウム,スパッタリング

我々はGaN縦型パワーデバイスのオン抵抗低減に向けて、高濃度n型GaNスパッタ膜堆積によるコンタクト抵抗低減技術の開発を行っている。デバイス作製工程終盤でのスパッタ成膜実施を想定し、成膜可能温度の下限を調査するため、成膜温度を変化させてGaNスパッタ膜の特性評価を行ったので報告する。