[24p-52A-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

13:15 〜 13:30

[24p-52A-2] GaInSb HEMTのバリア層薄膜化による真性遅延時間低減

吉田 陸人¹、〇河野 亮介¹、海老原 怜央¹、神内 智揮¹、渡邊 一世^2,1、山下 良美²、町田 龍人²、原 紳介²、笠松 章史²、遠藤 聡¹、藤代 博記¹ (1.東理大先進工、2.情報通信研究機構)

キーワード：

高電子移動度トランジスタ

高電子移動度トランジスタ（HEMT）のRF特性は遅延時間解析を用いることで詳細に議論することができ、遅延時間低減は電流利得遮断周波数（f_T）の向上を意味する。本講演では、GaInSb HEMTの遅延時間低減を目的とし、エピ構造におけるバリア層薄膜化がデバイス特性に与える影響を遅延時間解析により明らかにした。