講演情報
[24p-52A-3]300 GHz超fT, fmaxダブルドープ構造GaInSb HEMT
〇吉田 陸人1、河野 亮介1、海老原 怜央1、神内 智揮1、渡邊 一世2,1、山下 良美2、町田 龍人2、原 紳介2、笠松 章史2、遠藤 聡1、藤代 博記1 (1.東理大先進工、2.情報通信研究機構)
キーワード：
高電子移動度トランジスタ
GaInSbチャネル高電子移動度トランジスタ(HEMT)の更なる高速化のため、バリア層薄膜化したエピ構造へのダブルドープ構造導入を試みた。チャネル層の上下にTeをδドープするダブルドープ構造を導入することで、バリア層薄膜化したGaInSb HEMTにおける寄生抵抗の増加を改善し、真性遅延時間の減少により、fT=340 GHz、fmax=372 GHzを達成した。