[24p-52A-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:00 〜 14:15

[24p-52A-5] 低コスト化と高放熱性に向けたGaN on-diamond HEMTs構造の作製

〇(M1)富山 葉月¹、浦谷 泰基²、坂井田 佳紀²、西林 良樹³、竹内 茉莉花³、重川 直輝¹、梁 剣波¹ (1.大阪公立大工、2.エア・ウォーター、3.住友電工)

キーワード：

多結晶ダイヤモンド

GaN-HEMTsの放熱性向上にむけたon-diamond構造の低コスト化を目標とし、バックプレート上多結晶ダイヤモンドを用いてGaN on-diamond HEMTs構造の作製に取り組んだ。その結果、表面活性化接合法によりバックプレート上多結晶ダイヤモンド基板へのAlGaN/GaN/3C-SiC層の転写に成功した。