講演情報
[24p-52A-6]極性反転層を用いた高品質Ｎ極性面AlN上GaN/AlN HEMTの性能改善
〇Zazuli Hiyama Aina1、稲原 大輔1、小脇 岳土1、宮本 弥凪1、花咲 光基1、藤井 開1、仁ノ木 亮祐1、長田 空1、木本 大星1、倉井 聡1、岡田 成仁1、山田 陽一1 (1.山口大創成科学)
キーワード：
極性反転
極性反転層を用いて2つの異なる構造のAlNをサファイア基板上に成長させ、それらの結晶性を評価と比較を行った。また、これらの構造を下地としてN極性GaN/AlN構造を作製しFETに加工しその特性評価を行った。移動度やリーク電流に焦点を当て、AlNの構造がGaNチャネルの電気的特性に与える影響について発表する。