講演情報
[24p-52A-7]N極性面GaN/AlN高電子移動度トランジスタのGaNチャネルの最適化
〇藤井 開1、小脇 岳土1、宮本 弥凪1、Zazuli Hiyama Aina1、花咲 光基1、木本 大星1、倉井 聡1、岡田 成仁1、山田 洋一1 (1.山口大院創成科学)
キーワード：
F値,結晶成長,アルミニウムナイトライド
HEMTに応用できるGaN/AlGaN/AlN構造を結晶成長させた結果をまとめている。チャネル層のGaN成長時のF値に着目すると、F値が電流値や電子移動度に影響を与えることがわかった。F値の最適化によって、電流値は約1.4倍、電子移動度は1.5倍の向上につながった。