[24p-52A-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:00 〜 15:15

[24p-52A-8] AlN系分極ドープFETの構造検討

〇廣木 正伸¹、熊倉 一英¹、谷保 芳孝¹ (1.NTT物性研)

キーワード：

AlN

組成傾斜AlGaN下地層を有するAlN系PolFETにおいて、下地層(Al組成: 1 → x)および組成傾斜AlGaNチャネル 層(Al組成: x → 1)の最低Al組成xを0.6から0.77と変え、電気的特性の構造依存性を調べた。最低Al組成x の減少に伴い、電子のピーク濃度が上昇する傾向が見られたものの３次元スラブ幅が低減した。x = 0.66のPolFETで最大ドレイン電流120 mA/mmが得た。